A、孔徑為5mm和0.16mm的標準篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應由軟質(zhì)塑料制成,容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0~6MPa,精度為1MPa
A、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時,若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應大于100mm
C、采用振動臺振實時,應分二層均勻裝料,第一層料振實后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應補平
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()