A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實(shí)時(shí),若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí),應(yīng)分二層均勻裝料,第一層料振實(shí)后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應(yīng)補(bǔ)平
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A、容量筒
B、稱重50kg的臺(tái)秤
C、振動(dòng)臺(tái)或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、加壓至10s時(shí)的泌水量與加壓至140s時(shí)的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動(dòng)臺(tái)
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時(shí)間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來(lái)確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來(lái)表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過(guò)中間值的15%時(shí),此次試驗(yàn)無(wú)效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過(guò)程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后,拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束,以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開(kāi)始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的10%,取中間值。
B、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過(guò)中間值的10%,本次試驗(yàn)無(wú)效。
C、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的15%,取中間值。
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();