A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體
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D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級(jí)
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測(cè)定
B、水泥表觀密度測(cè)定
C、拌合物含氣量測(cè)定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)（0.16mm以下粉料修正）測(cè)定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動(dòng)臺(tái)
C、臺(tái)秤
D、分光光度計(jì)
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動(dòng)大的
C、強(qiáng)度等級(jí)高的
D、特細(xì)砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應(yīng)由軟質(zhì)塑料制成，容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進(jìn)氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0～6MPa，精度為1MPa
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。