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B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
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D、150×150×550mm棱柱體
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C、Φ150×300mm圓柱體
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最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
可用作硅片的研磨材料是()