A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長(zhǎng)、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體
A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。