單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于()的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)()。

A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d


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6.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至(),抗壓強(qiáng)度精確至()。

A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa

最新試題

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:單項選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。

題型:單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:單項選擇題

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。

題型:單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:單項選擇題