單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為(),下支輥應(yīng)有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的材料試驗機預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的()之間。
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于()。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個方向上分別測得的()作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
6.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
7.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測量的量具應(yīng)為()。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
8.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些?其用途如何?
10.問答題試述裝飾涂料的主要組成及其作用。
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題