單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個(gè)方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測量的量具應(yīng)為（）。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
5.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些？其用途如何？
7.問答題試述裝飾涂料的主要組成及其作用。
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題