A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
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A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()