A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
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A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長(zhǎng)裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長(zhǎng)度平均值
D、裂紋長(zhǎng)度總和
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。