A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
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A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。