A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
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A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。