單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()

A、3
B、5
C、4
D、2


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2.單項選擇題如何從石英砂制取硅?說明從石英到單晶硅的工藝的簡要框圖正確的是()

A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長

3.單項選擇題關于晶體下列說法錯誤的是()

A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值

4.單項選擇題硅片制備主要工藝流程是()

A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包

5.單項選擇題半導體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括()①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

6.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是()

A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗

7.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越(),鈍化效果越(),少數(shù)載流子壽命增加越()

A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多

9.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是()

A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長

10.單項選擇題下列是晶體的是()

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

最新試題

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

題型:單項選擇題

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:單項選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:單項選擇題

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項選擇題

最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向()

題型:單項選擇題