A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
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你可能感興趣的試題
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列是晶體的是（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）