單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
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1.單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
3.單項(xiàng)選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級(jí)硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
4.單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
5.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
6.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
7.單項(xiàng)選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
9.問答題簡(jiǎn)述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題