A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
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A.其晶粒形狀會改變
B.其機(jī)械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。