A.高強度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
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A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應(yīng)力退火
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列是晶體的是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。