屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。