A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
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A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
A、完全退火
B、再結晶退火
C、正火
D、去應力退火
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。