A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
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A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應(yīng)力退火
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;