A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
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A、形成了高密度位錯(cuò)
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
A、正火
B、調(diào)質(zhì)
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調(diào)質(zhì)+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再結(jié)晶退火
D、等溫退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。