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問答題本底計(jì)數(shù)率n_b=15計(jì)數(shù)/min，測量樣品計(jì)數(shù)率n₀=60計(jì)數(shù)/min，試求對(duì)給定的測量時(shí)間t_b+t_s來說凈計(jì)數(shù)率精確度最高時(shí)的最優(yōu)比值t_b/t_s；若凈計(jì)數(shù)率的誤差為5％，t_b和t_s的最小值是多少？

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1.問答題若某時(shí)間內(nèi)的真計(jì)數(shù)值是100，求得到計(jì)數(shù)為104的概率。

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2.問答題設(shè)測量樣品的平均計(jì)數(shù)率是5計(jì)數(shù)/s，使用泊松分布公式確定在任1s內(nèi)得到計(jì)數(shù)小于或等于2個(gè)的概率。

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3.問答題求NaI（T1）閃爍探測器的輸出脈沖幅度，若E_r＝1MeV全部損失在NaI（T1）中，發(fā)光效率0.15，光收集效率0.5，光陰極效率0.2，D₁收集效率0.8，δ=2.5，R=100KΩ，C=100PF

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4.問答題試定性分析朔料閃爍體與NaI（T1）所測0.662MeVγ的譜型有什么不同。若 C_發(fā)光＝0.13，而遠(yuǎn)型P、M管的光收集效率0.35，D₁的光電子收集效率接近100％，光陰極的量子效率0.22，δ₁=25，δ=6，求NaI（T1）對(duì)0.662MeV的能量分辨率。

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5.問答題如果一個(gè)NaI（T1）閃爍探測器對(duì)¹³⁷Csγ射線（0.662MeV）的能量分辨率是7%，計(jì)算它對(duì)²²Na的1.28MeVγ射線的能量分辨率。

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6.問答題計(jì)算²⁴Na2.76MeVγ射線在NaI（T1）單晶γ譜儀測得的能譜圖上的康普頓邊緣與單光子逃逸峰之間的相對(duì)位置。試詳細(xì)解釋?duì)蒙渚€在NaI（T1）閃爍體中產(chǎn)生那些次級(jí)過程（一直把γ能量分解到全部成為電子的動(dòng)能）？

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7.問答題在NaI（T1）中2MeVγ射線相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的截面比為1：20：2，入射到NaI（T1）中的2MeVγ射線的脈沖幅度譜給出的峰總比是小于、大于還是近似等于1/23？

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8.問答題NaI（T1）閃爍體的衰變時(shí)間（即衰變常數(shù)倒數(shù)）為230ns，忽略光電倍增管引入的任何時(shí)間展寬，求閃爍探測器陽極電路時(shí)間常數(shù)為10，000和1000ns時(shí)的電壓脈沖幅度。

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9.問答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測器測α能譜時(shí)，當(dāng)E_α＝0時(shí)相應(yīng)于零道，對(duì)²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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10.問答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測器由于電子－空穴對(duì)的統(tǒng)計(jì)漲落對(duì)分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計(jì)漲落外，所有其他因素對(duì)譜線寬度的貢獻(xiàn)為5kev，那么對(duì)Si和Ge來說，探測多大能量的粒子才會(huì)形成20kev的線寬？

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