A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
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A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。