A、坍落度測量精確至1mm，坍落擴(kuò)展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴(kuò)展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm，坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
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A、坍落度大于220mm的砼拌合物，宜用坍落擴(kuò)展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時(shí)，試驗(yàn)無效
A、提筒后，測量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
B、提筒后，測量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
C、提筒后，測量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差，取其平均值作為坍落度值
D、提筒后，應(yīng)在150s后測量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后，刮去多余的砼，并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴(kuò)展
D、A、B、C選項(xiàng)都對
A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。