A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
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A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、對(duì)于同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、對(duì)于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)按不同的性能項(xiàng)目取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批砼的強(qiáng)度等級(jí)、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對(duì)于同一工程、同一配合比的砼,檢驗(yàn)批不應(yīng)少于一個(gè)
C、對(duì)于同一檢驗(yàn)批,設(shè)計(jì)要求的各個(gè)檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)至少完成一組試驗(yàn)
D、對(duì)于同一檢驗(yàn)批,設(shè)計(jì)要求的各個(gè)檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)至少完成三組試驗(yàn)
A、耐久性檢驗(yàn)評(píng)定的項(xiàng)目及其等級(jí)應(yīng)根據(jù)施工要求確定
B、對(duì)于需要進(jìn)行耐久性檢驗(yàn)評(píng)定的砼,其強(qiáng)度應(yīng)滿足設(shè)計(jì)要求
C、耐久性檢驗(yàn)評(píng)定的依據(jù)是《砼強(qiáng)度檢驗(yàn)評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50107-2010標(biāo)準(zhǔn)
D、耐久性檢驗(yàn)評(píng)定的項(xiàng)目及其等級(jí)應(yīng)根據(jù)設(shè)計(jì)要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計(jì)法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計(jì)法
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。