A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
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A、因素分析法
B、統(tǒng)計(jì)法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計(jì)法
A、強(qiáng)度等級相同
B、強(qiáng)度試驗(yàn)齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
D、砼坍落度的取樣檢驗(yàn)頻率與砼強(qiáng)度檢驗(yàn)相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗(yàn)批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時,構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時,應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
A、澆水濕潤養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()