A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
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A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
A、砼強度達(dá)到設(shè)計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時,構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護時,應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、養(yǎng)護坑濕熱養(yǎng)護
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護
A、澆水濕潤養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、冬季蓄熱養(yǎng)護
D、噴涂養(yǎng)護劑養(yǎng)護
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時,宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時,應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時,應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時間段交替泵送不同強度等級砼時,輸送管中不得混入其它不同強度等級砼
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。