A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
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A、流動性
B、凝結時間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結時間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、對于同一檢驗批只進行一組試驗的檢驗項目,應將試驗結果作為檢驗結果
B、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應按不同的性能項目取所有組試驗結果中的最小值或最大值作為檢驗結果
A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產工藝和配合比應相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應少于一個
C、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成三組試驗
A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應滿足設計要求
C、耐久性檢驗評定的依據是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據設計要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
硅片拋光在原理上不可分為()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()