A.中央電極絲可以是陽(yáng)極也可以是陰極
B.不均勻電場(chǎng)的引入是為了降低電離位置對(duì)脈沖信號(hào)幅度的影響
C.電位設(shè)置、電離室半徑、中央電極絲半徑?jīng)Q定雪崩的大致范圍
D.內(nèi)部漂移電場(chǎng)是不均勻的
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A.離子脈沖電離室能準(zhǔn)確測(cè)量入射粒子能量
B.離子脈沖電離室不能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
C.電子脈沖電離室沒(méi)有高信噪比
D.電子脈沖電離室能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
A.電子離子對(duì)一旦形成，立即就有輸出電流信號(hào)
B.電壓脈沖的上升時(shí)間為電子電流的持續(xù)時(shí)間
C.電離室輸出電流中包含快成分與慢成分
D.快成分與慢成分的比例與電子離子產(chǎn)生位置有關(guān)
A.離子脈沖電離室能夠收集所有電荷，所以實(shí)用性很高
B.離子脈沖電離室的電壓脈沖寬度為μs級(jí)
C.電子脈沖電離室不能夠收集所有的電荷
D.電子脈沖電離室電壓信號(hào)幅度與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置無(wú)關(guān)
A.輸出總電荷量Q=Ne=eE/W
B.外電路的電流形狀有兩個(gè)平臺(tái)，一個(gè)高而短，一個(gè)低而長(zhǎng)
C.電壓信號(hào)形狀與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置無(wú)關(guān)
D.電流信號(hào)形狀與電子離子對(duì)產(chǎn)生位置有關(guān)
A.可以測(cè)量單個(gè)粒子的時(shí)間信息
B.不能夠測(cè)量單個(gè)粒子的能量信息
C.脈沖電離室只能輸出電壓信號(hào)，不能輸出電流信號(hào)和電荷信號(hào)
D.脈沖電離室的測(cè)量精度與復(fù)合、吸附、擴(kuò)散等物理過(guò)程無(wú)關(guān)
A.相鄰兩個(gè)信號(hào)的時(shí)間間隔服從泊松分布
B.原子核的衰變與帶電粒子在介質(zhì)中的碰撞都可看做是互相獨(dú)立的
C.法諾分布比泊松分布更好的符合輻射測(cè)量的實(shí)際情況
D.能量分辨率服從的是高斯分布
A.因?yàn)榭倢?shí)驗(yàn)時(shí)間一定，所以就不要測(cè)量本底了
B.測(cè)量時(shí)間平分為兩半，一半測(cè)量本底，一半測(cè)量樣品與本底的和，測(cè)量的凈計(jì)數(shù)率誤差最小
C.若知道本底及樣品大致的計(jì)數(shù)率，可以分配測(cè)量時(shí)間：測(cè)量時(shí)間之比等于計(jì)數(shù)率之比
D.若本底計(jì)數(shù)率約為100/s，樣品計(jì)數(shù)率約為800/s，測(cè)量時(shí)間總共10min，則應(yīng)測(cè)量本底2.5min，測(cè)量樣品及本底7.5min
A.需要測(cè)量樣品+本底，及僅有本底的兩種情況，相減得凈計(jì)數(shù)
B.凈計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為sqrt（Ns/ts2+Nb/tb2）
C.若兩次的測(cè)量時(shí)間ts=tb=t，則其對(duì)凈計(jì)數(shù)率的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差沒(méi)有影響
D.若兩次的測(cè)量時(shí)間ts≠tb，則其對(duì)凈計(jì)數(shù)率的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差沒(méi)有影響
A.設(shè)平均計(jì)數(shù)為N0，則t時(shí)間內(nèi)平均計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1/N0
B.平均計(jì)數(shù)N0可作為t時(shí)間內(nèi)計(jì)數(shù)值的數(shù)學(xué)期望的估計(jì)值
C.設(shè)平均計(jì)數(shù)為N0，則t時(shí)間內(nèi)平均計(jì)數(shù)的方差為N0/k
D.測(cè)量時(shí)間t不影響平均計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差
A.兩個(gè)隨機(jī)變量之和的標(biāo)準(zhǔn)差為兩個(gè)隨機(jī)變量標(biāo)準(zhǔn)差的和
B.兩個(gè)隨機(jī)變量之差的標(biāo)準(zhǔn)差為兩個(gè)隨機(jī)變量標(biāo)準(zhǔn)差的和
C.測(cè)量?jī)粲?jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差大于同時(shí)測(cè)量樣品加本底計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差
D.在t時(shí)間內(nèi)記錄了N個(gè)計(jì)數(shù)，則計(jì)數(shù)率為n=N/t，計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)偏差與相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差都與t有關(guān)
最新試題
下列對(duì)探測(cè)器本征探測(cè)效率沒(méi)有影響的是（）。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是（）。
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是（）。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
測(cè)量厚樣品α源，下列說(shuō)法正確的是（）。
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是（）。
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是（）。