那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

PN結(jié)的基本特性是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。