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A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復(fù)合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。