問答題我國墻體材料的改革趨勢是什么？墻體材料有哪幾大類？

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1.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷

2.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率

3.單項選擇題下列是晶體的是（）。 

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

4.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)

5.單項選擇題對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。

6.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

7.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）

8.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長

9.單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。