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問答題HPGe探測器也是一種PN結(jié)探測器嗎？為什么它可以實(shí)現(xiàn)較大的結(jié)區(qū)厚度？

是。因?yàn)镠PGe探測器所用的Ge材料雜質(zhì)濃度很小，僅為1010原子/cm³；

1.問答題為什么PN結(jié)探測器結(jié)區(qū)不能做得很厚？這個(gè)缺點(diǎn)帶來了什么問題？

2.問答題增加金硅面壘探測器的反向電壓，會(huì)有什么好處，又會(huì)有什么壞處？應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大??？好處是

增大靈敏體積，減小結(jié)電容（電容噪聲小）；
壞處是反向電流會(huì)增大；
反向電壓有一個(gè)最優(yōu)值，此時(shí)能量分辨率最好。

3.問答題在影響半導(dǎo)體探測器分辨率的各項(xiàng)因素中，電荷靈敏前置放大器的噪聲也是重要的一項(xiàng)。什么是零電容噪聲，什么是噪聲斜率？如果零電容噪聲為1keV，噪聲斜率為0.03keV/pf，現(xiàn)知道由前放造成的能量展寬為7keV，哪么探測器的電容是多大？

200pf

4.問答題綜合考慮各項(xiàng)因素對(duì)能量分辨率的影響之后，我們將得到一個(gè)總的能量展寬ΔE。各分項(xiàng)因素的貢獻(xiàn)ΔE1，ΔE2，ΔEi等與ΔE之間存在什么關(guān)系？

它們之間是平方和關(guān)系

5.問答題要實(shí)現(xiàn)這么好的能量分辨率，勢必要考慮其它因素對(duì)能量分辨率的“敗壞”問題，有什么因素會(huì)使金硅面壘探測器測量到的能量分辨率變差呢？

6.問答題就統(tǒng)計(jì)學(xué)特性而言，PN結(jié)探測器能夠?qū)崿F(xiàn)很好的分辨率。如果只考慮統(tǒng)計(jì)漲落問題，一個(gè)5.486MeV的α粒子在金硅面壘探測器中的能量分辨率是多少？

～4keV

7.問答題載流子在產(chǎn)生之后會(huì)有哪些過程使之損失或無法形成信號(hào)？為什么希望載流子的壽命長？

8.問答題PN結(jié)探測器中的耗盡層是怎樣形成的？耗盡層的存在與實(shí)現(xiàn)高能量分辨率有什么關(guān)系？

9.問答題在選擇半導(dǎo)體作為探測器材料時(shí)，應(yīng)考慮什么原則？

應(yīng)該有大的電阻率，以減小漏電流和減小結(jié)電容；
應(yīng)該有長的載流子壽命，以保證大體積下載流子的收集。

10.問答題電子和空穴的飽和漂移速度在什么量級(jí)？

～107cm/s