單項(xiàng)選擇題渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
A.兩個(gè)線圈
B.多個(gè)線圈
C.單個(gè)線圈
D.三個(gè)線圈
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1.單項(xiàng)選擇題渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器，它是構(gòu)成（）系統(tǒng)的重要組成部分，對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
A.渴流檢測(cè)
B.紅外線檢測(cè)
C.微波檢測(cè)
D.橫波斜檢測(cè)
2.單項(xiàng)選擇題渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
A.電流
B.磁場(chǎng)
C.滿流
D.電磁
3.單項(xiàng)選擇題缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的（）
A.絕對(duì)大小
B.相等大小
C.相對(duì)大小
D.相同大小
4.單項(xiàng)選擇題直接射向缺陷的波就是（）
A.直通波
B.直射波
C.反射波
D.折射波
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
A.全部
B.兩倍
C.三倍
D.一半
6.單項(xiàng)選擇題在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
A.反比
B.倍數(shù)
C.正比
D.無(wú)關(guān)
7.單項(xiàng)選擇題在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
A.缺陷
B.損壞
C.缺損
D.殘缺
8.單項(xiàng)選擇題采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
A.聲程
B.聲音
C.聲波
D.音程
9.單項(xiàng)選擇題對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。
A.水平刻度線
B.垂直刻度線
C.刻度線
D.水平線
10.單項(xiàng)選擇題對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
A.最小反射波高
B.最大反射波低
C.最大反射波高
D.最小反射波低
最新試題
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于圓盤(pán)形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直接射向缺陷的波就是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由（）構(gòu)成。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為（）mm，峰值波長(zhǎng)為365mm。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題