單項(xiàng)選擇題對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。

A.最小反射波高
B.最大反射波低
C.最大反射波高
D.最小反射波低


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。

A.長(zhǎng)度方向
B.周長(zhǎng)方向
C.圓周方向

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。

A.周長(zhǎng)方向
B.長(zhǎng)度方向
C.圓周方向

3.單項(xiàng)選擇題掃查方式一般視試件的()而定。

A.形狀
B.形狀及入射方向
C.入射方向
D.方向

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()

A.理論計(jì)算
B.頻率單一
C.消失
D.聲稱

5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。

A.正交;高;偏離
B.正交;低;偏離
C.交叉;高;偏離
D.正交;高;脫離

6.單項(xiàng)選擇題波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()

A.最弱;上升
B.最強(qiáng);下降
C.試驗(yàn);下降
D.正交;高

7.單項(xiàng)選擇題屏高的意義是指回波呈()狀態(tài)時(shí)的高度值。

A.飽和
B.一定
C.不飽和
D.良好

8.單項(xiàng)選擇題將缺陷波高絕對(duì)值與熒光屏垂直滿刻度相比,所得百分比即為缺陷波高()

A.絕對(duì)值
B.相對(duì)值
C.標(biāo)量
D.矢量

9.單項(xiàng)選擇題直接測(cè)量波峰至?xí)r間基線的(),此值即為缺陷回波高度的絕對(duì)值。

A.寬度
B.長(zhǎng)度
C.垂直高度
D.垂直磨耗

最新試題

缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

掃查方式一般視試件的()而定。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直接射向缺陷的波就是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題