缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

掃查方式一般視試件的（）而定。

隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。

波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）

無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為（）mm，峰值波長(zhǎng)為365mm。

在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）

渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。

對(duì)于長(zhǎng)條形試件，則常沿（）作平行縱軸的直線式掃查。

渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由（）構(gòu)成。

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。