下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

可用作硅片的研磨材料是（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。