下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

PN結(jié)的基本特性是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。