下列哪個不是單晶常用的晶向（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。