A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
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A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質
D.調(diào)質后表面淬火
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結晶退火
C.等溫退火
D.去應力退火
A.不會在恒溫下結晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進行形變強化
D.都能進行時效強化
A.其晶粒形狀會改變
B.其機械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
PN結的基本特性是()