A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗結果無效。
D、同組3個試件測值中，最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
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A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒6.75～11.25kN
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒11.25～18.00kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒18.00～22.50kN
A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、強度等級越高，加荷速度應越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標準養(yǎng)護室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結構或構件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca（OH）2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢，拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
PN結的基本特性是（）
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。