A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
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A、試件拆模時間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
A、壓力試驗機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗機(jī)
B、砼振動臺
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
改良西門子法的顯著特點不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()