A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
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A、砂漿一次分別裝入三個試驗筒中,做三個試驗
B、采用振動臺振實時,振動應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗,整個貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時不能在試樣表面壓下痕印作為達到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時間以貫入阻力為3.5MPa時的時間
B、砼初凝時間以貫入阻力為0時的時間
C、砼終凝時間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時間
D、砼終凝時間以貫入阻力為28MPa時的時間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計時
B、從砂漿試驗筒裝料搗實的瞬間開始計時
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開始計時
D、從首次貫入施加阻力的同時開始計時
A、可以是手動的,也可以是自動的
B、砂漿試樣筒是一個桶高150mm的木制圓筒
C、主要由加荷裝置、測針、砂漿試樣筒和標準篩組成
D、加荷裝置最大可以施加2000kN的試驗壓力
A、通過用貫入阻力儀對砼拌合物貫入阻力的測定來測試砼的凝結(jié)時間
B、通過用貫入阻力儀對從砼拌合物中篩出的砂漿貫入阻力的測定來測試砼的凝結(jié)時間
C、砼的凝結(jié)時間分為初凝時間和終凝時間
D、適用于所有稠度的砼拌合物凝結(jié)時間的測定
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計時
B、從拌合物搗實提筒的瞬間開始計時
C、從拌合物開始裝料的瞬間開始計時
D、從開啟振動臺的同時開始計時
A、拌合物應(yīng)分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應(yīng)沿螺旋方向由中心向外進行
D、當振動到透明圓盤的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計時
A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測定
A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結(jié)果表達修約至1mm,坍落擴展度試驗結(jié)果表達修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結(jié)果表達均修約至5mm
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
改良西門子法的顯著特點不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
可用作硅片的研磨材料是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()