A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
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A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
A、最大值
B、最小值
C、算術(shù)平均值
D、中間值
A、20
B、30
C、40
D、50
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()