A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
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A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()