單項(xiàng)選擇題以下對(duì)彎曲型底面開口裂紋測(cè)長(zhǎng)的敘述,正確的是()

A.由于缺陷輪廓與底面不平行,很難得到好的擬合結(jié)果
B.由于缺陷末端的信號(hào)有時(shí)看不到,使擬合難以進(jìn)行
C.當(dāng)拋物線指針與缺陷信號(hào)不能全部擬合時(shí),應(yīng)優(yōu)先與信號(hào)頂部擬合
D.當(dāng)拋物線指針與缺陷信號(hào)不能全部擬合時(shí),應(yīng)優(yōu)先與缺陷的三分之一信號(hào)末端擬合


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你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題TOFD技術(shù)測(cè)量埋藏缺陷長(zhǎng)度的精度()

A.隨著缺陷埋藏深度的增加而降低
B.隨著探頭中心間距增大而降低
C.隨著脈沖寬度的增大而降低
D.以上都對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題TOFD對(duì)埋藏缺陷的分辨力()

A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于耦合劑厚度變化對(duì)缺陷深度測(cè)量誤差影響的敘述,正確的是()

A.為減小測(cè)量缺陷信號(hào)與測(cè)量誤差,必須仔細(xì)測(cè)量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測(cè)量缺陷信號(hào)與直通波到達(dá)時(shí)間之差,則耦合劑引起的缺陷深度測(cè)量誤差很小
C.如果測(cè)量缺陷信號(hào)到達(dá)的絕對(duì)時(shí)間,則耦合劑引起的測(cè)量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的

4.單項(xiàng)選擇題校準(zhǔn)探頭間距的有效方法是()

A.用高精度的長(zhǎng)度尺反復(fù)測(cè)量
B.用專用的激光測(cè)距儀反復(fù)測(cè)量
C.測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度反射體的信號(hào)到達(dá)時(shí)間
D.測(cè)量直通波或者底面波信號(hào)尖端信號(hào)到達(dá)的時(shí)間

5.單項(xiàng)選擇題探頭中心距的誤差()

A.對(duì)缺陷深度測(cè)量精度影響很大
B.對(duì)缺陷高度測(cè)量精度影響很大
C.對(duì)缺陷長(zhǎng)度測(cè)量精度影響很大
D.對(duì)缺陷偏離軸線位置的測(cè)量精度影響很大

6.單項(xiàng)選擇題深度分辨力與以下哪一因素?zé)o關(guān)()

A.缺陷深度
B.信號(hào)脈沖的長(zhǎng)度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸

7.單項(xiàng)選擇題軸偏移深度測(cè)量誤差()

A.嚴(yán)重影響缺陷高度的測(cè)量精度
B.嚴(yán)重影響V形坡口根部缺陷的檢出
C.只在非平行掃查中存在
D.只在平行掃查中存在

8.單項(xiàng)選擇題軸偏離底面盲區(qū)()

A.隨探頭折射角減小而減小,隨底面焊縫寬度的增大而增大
B.隨探頭折射角減小而增大,隨底面焊縫寬度增大而增大
C.隨探頭折射角減小而減小,隨探頭脈沖寬度減小而減小
D.隨探頭折射角減小而增大,隨探頭脈沖寬度減小而增大

9.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于直通波的盲區(qū)的敘述,錯(cuò)誤的是()

A.探頭脈沖周期減少可以減小直通波盲區(qū)
B.如果PCS減小,則直通波盲區(qū)減小
C.增加探頭頻率可以減小直通波盲區(qū)
D.減小探頭晶片尺寸可以減小直通波盲區(qū)

10.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于TOFD技術(shù)近表面深度測(cè)量誤差的敘述,錯(cuò)誤的是()

A.近表面深度測(cè)量,時(shí)間上一個(gè)很小的誤差會(huì)給深度帶來很大的誤差
B.近表面深度測(cè)量,深度上一個(gè)很小的誤差會(huì)給時(shí)間帶來很大的誤差
C.減小探頭中心間距可以改善近表面區(qū)域的分辨力
D.增加探頭頻率可以改善近表面區(qū)域的分辨力