A.隨著缺陷埋藏深度的增加而降低
B.隨著探頭中心間距增大而降低
C.隨著脈沖寬度的增大而降低
D.以上都對
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A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對
A.為減小測量缺陷信號與測量誤差，必須仔細(xì)測量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測量缺陷信號與直通波到達(dá)時(shí)間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測量誤差很小
C.如果測量缺陷信號到達(dá)的絕對時(shí)間，則耦合劑引起的測量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的
A.用高精度的長度尺反復(fù)測量
B.用專用的激光測距儀反復(fù)測量
C.測量標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度反射體的信號到達(dá)時(shí)間
D.測量直通波或者底面波信號尖端信號到達(dá)的時(shí)間
A.對缺陷深度測量精度影響很大
B.對缺陷高度測量精度影響很大
C.對缺陷長度測量精度影響很大
D.對缺陷偏離軸線位置的測量精度影響很大
A.缺陷深度
B.信號脈沖的長度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸
A.嚴(yán)重影響缺陷高度的測量精度
B.嚴(yán)重影響V形坡口根部缺陷的檢出
C.只在非平行掃查中存在
D.只在平行掃查中存在
A.隨探頭折射角減小而減小，隨底面焊縫寬度的增大而增大
B.隨探頭折射角減小而增大，隨底面焊縫寬度增大而增大
C.隨探頭折射角減小而減小，隨探頭脈沖寬度減小而減小
D.隨探頭折射角減小而增大，隨探頭脈沖寬度減小而增大
A.探頭脈沖周期減少可以減小直通波盲區(qū)
B.如果PCS減小，則直通波盲區(qū)減小
C.增加探頭頻率可以減小直通波盲區(qū)
D.減小探頭晶片尺寸可以減小直通波盲區(qū)
A.近表面深度測量，時(shí)間上一個(gè)很小的誤差會給深度帶來很大的誤差
B.近表面深度測量，深度上一個(gè)很小的誤差會給時(shí)間帶來很大的誤差
C.減小探頭中心間距可以改善近表面區(qū)域的分辨力
D.增加探頭頻率可以改善近表面區(qū)域的分辨力
A.近表面深度分辨力不高
B.近表面信號淹沒在直通波內(nèi)導(dǎo)致漏檢
C.在進(jìn)行非平行掃查時(shí)底面存在盲區(qū)
D.在進(jìn)行平行掃查是底面存在盲區(qū)
最新試題
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是（）
下列對耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述，不正確的一項(xiàng)是（）
通常所謂20KV的X射線是指（）
對于鉬靶X射線管，在管電壓低于（）千伏時(shí)是不會產(chǎn)生特征X射線的。
對軸類鋼制鍛件，用2.5P14的直探頭，在圓周面上用底波作基準(zhǔn)反射而進(jìn)行靈敏度調(diào)整時(shí)，該軸鍛件的直徑至少應(yīng)大于（）
影響較大的散射線通常來自（）
對于平行于檢測面的缺陷，一般采用（）檢測。
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）
若評片燈亮度增為原來的兩倍，則底片透光度（It/I0）變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
探頭的分辨力（）