A.為減小測(cè)量缺陷信號(hào)與測(cè)量誤差，必須仔細(xì)測(cè)量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測(cè)量缺陷信號(hào)與直通波到達(dá)時(shí)間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測(cè)量誤差很小
C.如果測(cè)量缺陷信號(hào)到達(dá)的絕對(duì)時(shí)間，則耦合劑引起的測(cè)量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的

A.用高精度的長(zhǎng)度尺反復(fù)測(cè)量
B.用專用的激光測(cè)距儀反復(fù)測(cè)量
C.測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度反射體的信號(hào)到達(dá)時(shí)間
D.測(cè)量直通波或者底面波信號(hào)尖端信號(hào)到達(dá)的時(shí)間

A.對(duì)缺陷深度測(cè)量精度影響很大
B.對(duì)缺陷高度測(cè)量精度影響很大
C.對(duì)缺陷長(zhǎng)度測(cè)量精度影響很大
D.對(duì)缺陷偏離軸線位置的測(cè)量精度影響很大

A.缺陷深度
B.信號(hào)脈沖的長(zhǎng)度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸

A.嚴(yán)重影響缺陷高度的測(cè)量精度
B.嚴(yán)重影響V形坡口根部缺陷的檢出
C.只在非平行掃查中存在
D.只在平行掃查中存在

A.隨探頭折射角減小而減小，隨底面焊縫寬度的增大而增大
B.隨探頭折射角減小而增大，隨底面焊縫寬度增大而增大
C.隨探頭折射角減小而減小，隨探頭脈沖寬度減小而減小
D.隨探頭折射角減小而增大，隨探頭脈沖寬度減小而增大

A.探頭脈沖周期減少可以減小直通波盲區(qū)
B.如果PCS減小，則直通波盲區(qū)減小
C.增加探頭頻率可以減小直通波盲區(qū)
D.減小探頭晶片尺寸可以減小直通波盲區(qū)

A.近表面深度測(cè)量，時(shí)間上一個(gè)很小的誤差會(huì)給深度帶來很大的誤差
B.近表面深度測(cè)量，深度上一個(gè)很小的誤差會(huì)給時(shí)間帶來很大的誤差
C.減小探頭中心間距可以改善近表面區(qū)域的分辨力
D.增加探頭頻率可以改善近表面區(qū)域的分辨力

A.近表面深度分辨力不高
B.近表面信號(hào)淹沒在直通波內(nèi)導(dǎo)致漏檢
C.在進(jìn)行非平行掃查時(shí)底面存在盲區(qū)
D.在進(jìn)行平行掃查是底面存在盲區(qū)

A.1mm
B.0.1mm
C.0.01mm
D.無(wú)法給出數(shù)值