單項(xiàng)選擇題二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）

A.二次波檢測(cè)可以解決焊縫余高過(guò)寬影響探頭設(shè)置的困難
B.二次波檢測(cè)可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測(cè)以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測(cè)時(shí)探頭間距不能太大，以確?；夭ㄔ诘撞úㄐ娃D(zhuǎn)換之前到達(dá)


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1.單項(xiàng)選擇題以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）

A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測(cè)
B.檢測(cè)筒體縱焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
C.檢測(cè)筒體環(huán)焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進(jìn)行兩次掃查

2.單項(xiàng)選擇題檢測(cè)筒形工件的縱向焊縫，建議在焊縫兩側(cè)各進(jìn)行一次偏置非平行掃查，其主要目的是（）

A.提高缺陷長(zhǎng)度測(cè)量的精度
B.增大有效檢測(cè)范圍
C.消除底面焊縫成形不良的影響
D.有利于發(fā)現(xiàn)焊縫中的橫向缺陷

4.單項(xiàng)選擇題掃查表面處于哪一溫度下，需要采取措施保護(hù)儀器、探頭、電纜線，并選擇適當(dāng)?shù)鸟詈蟿?，才能?shí)施檢測(cè)（）

A.在大于50℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
B.在100℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
C.在150℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
D.在200℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)

5.單項(xiàng)選擇題TOFD探頭晶片尺寸越小，則（）

A.波束擴(kuò)散越大，近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，輻射超聲能量越低
B.波束擴(kuò)散越大，近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，國(guó)投超聲能量越高
C.波束擴(kuò)散越大，近場(chǎng)長(zhǎng)度N越大，輻射超聲能量越低
D.波束擴(kuò)散越小，近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，輻射超聲能量越氏

6.單項(xiàng)選擇題TOFD探頭頻率越低，則（）

A.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越大，分辨力越差，上表面盲區(qū)越大
B.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，分辨力越好，上表面盲區(qū)越大
C.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，分辨力越差，上表面盲區(qū)越小
D.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小，分辨力越差，上表面盲區(qū)越大

7.單項(xiàng)選擇題TOFD檢測(cè)用的探頭必須具有（）

A.窄波束擴(kuò)展來(lái)提高縱向分辨力
B.窄波束擴(kuò)展來(lái)確保受檢區(qū)域的履蓋
C.寬波束來(lái)提高橫向分辨力
D.寬波束來(lái)覆蓋被檢測(cè)的整個(gè)焊縫區(qū)域

8.單項(xiàng)選擇題具有可測(cè)高度的內(nèi)部缺陷，由什么來(lái)識(shí)別（）

A.底面波受干擾
B.單個(gè)衍射信號(hào)在直通波和底面波之間
C.兩個(gè)相反相位的衍射信號(hào)在直通波和底面波之間
D.兩個(gè)相反相位的衍射信號(hào)在直通波和底面波形轉(zhuǎn)換波之間

9.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于上端點(diǎn)衍射波相位的描述，哪一條是正確的（）

A.與底面波相位相同，且與直通波相位相反
B.與始脈沖波相位相同，且與底面波相位相反
C.與始脈沖波相位相同，且與直通波相位相反
D.懷直通波相位相同，且與底面波相位相同

10.單項(xiàng)選擇題以下哪些信號(hào)必須被顯示在正常的TOFD掃查里（）

A.直通波、底面波、底面的波形轉(zhuǎn)換信號(hào)
B.始脈沖波、直通波、底面的波形轉(zhuǎn)換信號(hào)
C.始脈沖波、底面波、底面的波形轉(zhuǎn)換信號(hào)