直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列是晶體的是（）。 

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）