A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
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A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對(duì)比度
A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對(duì)數(shù)
D、底片黑度的對(duì)數(shù)
A、60Co
B、220kVpX射線
C、15MeVX射線
D、192Ir
A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、射線太硬
B、顯影不足
C、顯影液陳舊失效
D、以上都對(duì)
A、源的強(qiáng)度
B、源的尺寸
C、源的使用時(shí)間
D、源的種類
最新試題
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
鋁合金電導(dǎo)率的渦流檢測(cè)中硬度檢驗(yàn)是一種()方法。
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
掃查方式一般視試件的()而定。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
直接射向缺陷的波就是()