CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）